慧目科技请求半导体激光器量子阱稠浊设备及制备工艺专利有用操控硅原子的横向分散速度

  国家知识产权局信息数据显现，浙江慧目科技有限公司请求一项名为“半导体激光器量子阱稠浊设备及半导体激光器制备工艺”的专利，公开号CN121055156A，请求日期为2025年8月。

  专利摘要显现，本发明公开了半导体激光器量子阱稠浊设备及半导体激光器制备工艺，经过光刻胶喷涂组件、光刻胶清洗组件、纯硅磁控溅射镀膜组件、氮化硅磁控溅射镀膜组件和纯铁磁控溅射镀膜组件，自动化实现在晶圆外表镀上“三层薄膜结构”，再经过加热盘对晶圆标明上进行加热，从而热量进入纯硅薄膜后，为硅原子供给动能，硅原子向晶圆的需分散区域深度方向移动分散，因为“三层薄膜结构”只存在于在晶圆外表需分散区域，热量的散布也仅局限于需分散区域，可有用操控硅原子的横向分散速度；硅原子会按所需要求沿量子阱区域深度方向分散到指定深度，得到一种安稳牢靠的半导体激光器。

  天眼查资料显现，浙江慧目科技有限公司，成立于2024年，坐落衢州市，是一家以从事科技推广和使用服务业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。经过天眼查大数据分析，浙江慧目科技有限公司具有行政许可1个。

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